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闪烁体研发避坑指南:lexsyg RL测试揭示BiPO₄:Ce的致命缺陷

更新时间:2025-11-19点击次数:43

近期,克莱姆森大学研究团队在《Journal of Luminescence》发表重要成果,通过 Freiberg Instruments Lexsyg Research释光光谱仪等先进设备,系统阐明了六方相BiPO的复杂发光机制,解决了该材料长期存在的学术争议。研究中,lexsyg Research释光荧光光谱仪在揭示关键发光现象中发挥了不可替代的作用。闪烁体研发避坑指南:lexsyg RL测试揭示BiPO₄:Ce的致命缺陷

重要发现:五重发光之谜终解开

研究团队通过精确调控激发波长(250–460 nm),结合lexsyg荧光光谱仪的高灵敏度RL(辐射发光)测试,在六方相BiPO中发现多达5种发光中心:

1、350 nm蓝光(缺陷发光)

2、405 nm紫光(金属间电荷转移MMCT)

3、570 nm黄光(Bi³的³P→¹S跃迁)

4、445 nm/490 nm双峰蓝绿光(Ce³的5d→4f跃迁)

5、扰动态Bi³(氧空位导致能级红移)

闪烁体研发避坑指南:lexsyg RL测试揭示BiPO₄:Ce的致命缺陷 

图1 发光峰位置与激发波长关系

Lexsyg的关键贡献:RL测试打破传统认知

通过Lexsyg光谱仪的RL测试模块(40 kV X射线激发),研究团队发现:

1、Ce³在X射线激发下不发光(图2),而Bi³扰动态主导630 nm发射;

2、发光强度只有为BGO闪烁体的0.015%,证明其不适合作为Ce³闪烁体材料。

闪烁体研发避坑指南:lexsyg RL测试揭示BiPO₄:Ce的致命缺陷 

图2 RL光谱揭露Ce³猝灭现象

争议终结:修正文献错误结论

研究团队对比近20篇争议文献,首先指出:

1、过往报道的“Ce³在352–459 nm发光”实则为MMCT或缺陷发光;

2、真实Ce³发光位于445/490 nm双峰(△E=0.26 eV,符合自旋轨道劈裂)。

研究利器:lexsyg如何揭示真相

1、多模式联用:结合PL(光致发光)、PLE(激发光谱)、RL(辐射发光)全方面分析;

2、高精度RL测试:通过连续X射线激发(钨靶,40 kV/1 mA),模拟闪烁体真实工况;

3、超级低温探测:-80°C冷却CCD大幅降低噪声,捕获弱发光信号。

结论与启示

本研究不只解决了BiPO的发光争议,更展示了Freiberg Instruments Lexsyg Research先进释光光谱技术对材料研究的重要价值:“lexsyg的RL测试证明,BiPO中空穴被Bi³局域化捕获,导致Ce³无法参与闪烁发光。”

在材料科学飞速发展的现在,精确的表征工具是科研突破与产业升级的 “基石”。Freiberg Instruments Lexsyg Research 以其 “高稳定、高灵敏、高精确” 的重要优势,已成为全球众多高级科研机构(如 Clemson University)与企业的优先选择放射发光测试设备。

无论您是从事闪烁体研发、稀土材料表征,还是光催化研究,Lexsyg Research 都能为您提供 “从数据到结论” 的可靠支撑,助力您的研究更快出成果、产品更快推向市场。

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论文地址:researchgate.net/publication/344145593_Luminescence_of_undoped_and_Ce-doped_hexagonal_BiPO4

 

 

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