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少子寿命测试仪µPCD/MDP (MDPpro 850+)

  • 更新时间:  2024-03-04
  • 产品型号:  MDPpro 850+1
  • 简单描述
  • 少子寿命测试仪µPCD/MDP (MDPpro 850+)用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。
详细介绍

少子寿命测试仪µPCD/MDP (MDPpro 850+)

用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。

       

       

特点 :        

◇ 寿命范围:20 ns至100 ms(样品电阻率 > 0.3 Ohm cm)   

◇  SEMI标准:PV9-1110        

◇  测试速度:线扫描 < 30 s;完整的面扫秒 < 5 min        

◇  同时测量:寿命μPCD/MDP(QSS)和电阻率

◇  自动几何形状识别: G12、M10晶砖和晶圆片        


应用 :   

◇  寿命 & 电阻率面扫描        

◇  晶体生长监控(即滑移线)        

◇  污染监测

◇  氧条纹/OSF环       

◇  P 型掺杂硅的铁面扫描图

◇  光束感应电流(LBIC)

◇  发射极层的方阻        

◇  更多…

 

技术规格 :   

材料单晶硅
晶锭尺寸125  x 125至210 x 210 mm2晶砖长850 mm或更长
晶圆尺寸直径可达300 mm
电阻率范围0.5 – 5 ohm cm。根据要求提供其他范围
导电类别p/n
可测量的参数寿命-μPCD/MDP(QSS)、光电导率、电阻率等
默认激光器

IR激光二极管(980 nm,不超过500 mW)和IR激光二极管(905 nm,不超过9000 mW)。可根据要求提供其他波长

电脑Windows 11或新版本、.NET Framework更新、2个以太网端口
电力要求100 – 250 V AC, 6 A
尺寸(宽*高*长)  2560 × 1910 × 1440 mm
重量约200 kg
认证根据ISO 9001准则制造,符合CE要求

      












        

             

直拉硅单晶硅锭中的滑移线


含有大量缺陷的准单晶硅锭的寿命测量


MDP studio -  操作和评估软件 :

用户友好且先进的操作软件具有:

◇  导入和导出功能

◇  带有操作员的用户结构

◇  所有执行的测量概览

◇  样品参数输出

◇  单点测量(例如:注入浓度相关的测量)

◇  面扫描

◇  测试配方

◇  分析功能包

◇  线扫描和单点瞬态视图


配置选项:

◇  光斑尺寸变化

◇  电阻率测量(晶砖和晶圆片)

◇  背景/偏置光

◇  反射测量(MDP)

◇  LBIC

◇  P型掺杂硅中的铁图谱

◇  p/n检测

◇  条码读取器

◇  自动几何识别

◇  宽的激光器波长范围


少子寿命测试仪µPCD/MDP (MDPpro 850+)  应用 :        

铁浓度测定

铁的浓度的精确测定是非常重要的,因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此,有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度,具有非常高的分辨率且**是在线的

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注入相关测量

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远程访问基于IP的系统允许在世界任何地方进行远程操作和技术支持

多晶硅晶圆线扫描HJT晶圆的寿命测量

       

         

       


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