MDpicts pro高分辨率变温少子寿命测试仪，系统能够适用于各种不同材料和制备阶段的测量，范围从硅原料、裸晶圆到不同的制备阶段，再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半导体，可以研究电阻率高于0.3 Ω cm的单晶硅和多晶硅。

MDpicts pro高分辨率变温少子寿命测试仪       

用于生产和研究实验室应用的MDpicts pro（高分辨率变温少子寿命测试仪系统）。全自动设备，以非接触、无破坏方式绘制材料的电输运特性。一般来说，MDpicts pro系统能够适用于各种不同材料和制备阶段的测量，范围从硅原料、裸晶圆到不同的制备阶段，再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半导体，可以研究电阻率高于0.3 Ω cm的单晶硅和多晶硅。重点是缺陷再发射、少数载流子寿命以及光电导率的温度相关测量。研究污染物和电活性晶体缺陷。

MDpicts pro高分辨率变温少子寿命测试仪材料： 

MDpicts pro 能够对几乎所有半导体进行电学表征 

碲镉汞｜碳化硅 | 化合物半导体 | 氧化物 | 宽带隙材料 | 钙钛矿| 外延层

[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ]  and more

重点优势： 

1）从窄禁带材料到宽禁带材料的全覆盖测试

2）实现材料缺陷的根本原因分析：无损、灵活且精确

3）空间分辨率高

4）同时具备瞬态μPCD和稳态MDP测量

5）可定制激光与光学集成方案，适配各类材料需求

6）原位新型低温恒温测试系统，

7）支持4英寸样品测试 

技术规格：  

应用案例： 

光束诱导电流（LBIC） 

该过程基于对太阳能电池中局部电流（Isc）的测量，该电流通过激光诱导的方式产生 

微波探测光致电流瞬态谱（MD-PICTS） 

为研究半导体中的缺陷，温度依赖型方法（类似深能级瞬态谱（DLTS））已被广泛应用。 

磷化铟（InP）中缺陷能级的研究 

微波探测光致电流瞬态谱（MD-PICTS）是研究磷化铟（InP）中缺陷能级的理想方法。例如，对磷化铟的研究表明，退火过程中材料的缺陷含量会发生变化……