HT picts高温少子寿命测量系统，用于宽禁带材料在高温区间的非接触、无损伤的温度依赖型测量，涵盖少子寿命、电学特性表征及深能级缺陷研究。（涵盖瞬态模式μPCD、稳态模式MDP、微波光电导等方法，符合SEMI PV9-1110 半导体标准）。

HTpicts

用于材料分析的优良高温少子寿命测量系统

HT picts高温少子寿命测量系统专门用于宽禁带半导体中的少子寿命和深能级缺陷检测，用于宽禁带材料在高温区间的非接触、无损伤的温度依赖型测量，涵盖少子寿命、电学特性表征及深能级缺陷研究。（涵盖瞬态模式μPCD、稳态模式MDP、微波光电导等方法，符合SEMI PV9-1110 半导体标准）

碳化硅 |氧化镓| 氮化铝 | 氮化镓｜金刚石｜等

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HT picts高温少子寿命测量系统重点优势： 

1）专门用于宽禁带和超宽禁带材料深能级缺陷测量

2）深能级缺陷研究的高温条件

3）针对各类材料的定制化激光集成方案

4）全自动温度调节测量

技术规格：   

应用案例：

磷化铟（InP）中缺陷能级的研究 

微波探测光电导瞬态谱（HT-PICTS）是表征磷化铟中缺陷能级的理想方法。例如，针对磷化铟（InP）的研究表明，退火过程会改变材料中的缺陷浓度，而这一变化或许会对其电性能分布产生影响。

未处理样品的缺陷浓度取决于其在晶体中的位置，而晶圆退火处理后的样品则呈现出一组统一的缺陷能级。图1对比了取自晶体不同位置的掺杂铁元素半绝缘磷化铟样品，这些样品的特征缺陷能级存在差异。含铁磷化铟样品中观测到的特征谱峰，头一次证实了铁在磷化铟中可作为复合中心发挥作用。

微波探测光致电流瞬态谱（MD-PICTS） 

用于研究半导体中的缺陷，温度依赖型方法（类似深能级瞬态谱-DLTS）已被广泛应用。