MD picts温度依赖型寿命测试系统，可检测电阻率高于 0.3 Ω cm的单晶硅与多晶硅，重要聚焦缺陷、少子寿命及光电导的温度依赖型测量，同时可检测硅中的污染物及电活性晶体中的缺陷，具备微波光电导衰减瞬态（μPCD）和稳态（MDP）测量功能。

MD picts温度依赖型寿命测试系统      

MD picts温度依赖型寿命测试系统可对材料电学特性进行非接触、无损伤的单点测量。总体而言，MD-PICTS设备适用于多种材料及不同制备阶段的测量，涵盖硅原料、裸片、各类中间制备阶段样品，以及砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物半导体。该系统可检测电阻率高于 0.3 Ω cm的单晶硅与多晶硅，重要聚焦缺陷、少子寿命及光电导的温度依赖型测量，同时可检测硅中的污染物及电活性晶体中的缺陷，具备微波光电导衰减瞬态（μPCD）和稳态（MDP）测量功能。

碲镉汞｜碳化硅 | 化合物半导体 | 氧化物 | 宽带隙材料 | 钙钛矿| 外延层

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重点优势： 

1）赋能材料缺陷根源分析：无损伤、高灵活、高精度

2）采用斯特林制冷器(Stirling refrigerator)冷却，无需操作液氮

3）针对各类材料的定制化激光与光学集成方案

4）全自动温度依赖型测量

5）MDpicts可覆盖几乎所有半导体材料的电学特性表征

技术规格：   

应用案例： 

光电导测量与陷阱态分析

弗莱贝格仪器（Freiberg Instruments）的MDPmap与MDpicts系统，配备355 nm激光器（适配瞬态微波光电导衰减法μ-PCD）或375 nm激光二极管（适配稳态微波光电导法MDP），适用于宽带隙氮化物半导体的光电导测量与陷阱态分析。n 型掺杂的均匀性可通过光电导信号（信号强度）进行分析，该信号与材料的电阻率及载流子寿命密切相关。

微波探测光致电流瞬态谱（MD-PICTS）

在半导体缺陷研究中，温度依赖型方法的应用极为普遍，例如深能级瞬态谱（DLTS）。

碳化硅（SiC）的少子寿命测量

近年来，碳化硅（SiC）材料的质量已取得很大的进步，因此在大功率器件等应用场景中，碳化硅正日益成为硅（Si）材料的有力竞争者。作为宽带隙半导体，SiC相较于硅具有诸多优势。少子寿命是影响半导体器件性能的重要参数之一，尤其对于SiC在高压器件中的应用而言至关重要。因此，有必要通过寿命工程优化，使特定器件实现强大性能。为了以高良率制造碳化硅器件，不仅需要高分辨率的材料表征技术，还需借助相关方法探究SiC中的缺陷根源，从而进一步提升材料质量。