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当前位置:首页产品中心MDP单晶和多晶硅片寿命测量仪(MDPmap)MDPmap-1MDPmap单晶和多晶硅片寿命测量仪

MDPmap单晶和多晶硅片寿命测量仪
产品简介

MDPmap单晶和多晶硅片寿命测量仪被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具,用于离线生产控制或研发,在稳态或短脉冲激励(μ-PCD)下,在一个宽的注入范围内测量参数,如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品,包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆,从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆。

产品型号:MDPmap-1
更新时间:2024-07-11
厂商性质:代理商
访问量:1318
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MDPmap:     

单晶和多晶硅片寿命测量设备用于复杂的材料研究和开发         

       

        

特点:        

  灵敏度:高的灵敏度,用于可视化迄今为止不可见的缺陷和调查外延层的情况        

◇  测量速度:6英寸硅片<5min,分辨率为1mm        

◇  寿命范围:20ns到几十ms        

◇  污染测定:源于坩埚和设备的金属(铁)污染        

◇  测量能力:从切割好的硅片到加工的样品        

◇  灵活性:固定的测量头可以与外部激光器连接并触发        

◇  可靠性:模块化和紧凑型台式仪器,可靠性更高,正常运行时间>99%        

◇  重复性:> 99%        

◇  电阻率:电阻率测绘,无需频繁校准        

       
技术规格:         

样品尺寸                        

直径达300mm(标准台),直径达450mm(定制),*小为5 x 5mm                        

寿命测量范围 

20ns至几十ms以上 

电阻率                        

0.2 - >10³Ω·cm,p-型/n-型                        

样品材料                        

硅片、外延层、部分或加工的硅片、化合物半导体及更多材料                        

可测量的特性

寿命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光导率 

激发波长                        

选择从355nm到1480nm的*多四个不同波长。980nm(默认)                        

尺寸规格                        

体积:680 x 380 x 450毫米;重量:约65公斤                        

电源                        

100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A                        










MDPmap单晶和多晶硅片寿命测量仪 - 细节:       

◇  用于研发或生产监控的灵活测绘工具      

◇  MDPmap被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具,用于离线生产控制或研发,在稳态或短脉冲激励(μ-PCD)下,在一个宽的注入范围内测量参数,如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品,包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆,从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆        

◇  MDPmap的主要优点是它的高度灵活性,例如,它允许集成多达四个激光器,用于测量从较低到高的注入水平的寿命,或通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设施,以及μ-PCD或稳态注入条件的选项。可以用不同的地图进行客户定义的计算,也可以输出主要数据进行进一步评估。对于标准的计量任务,预定义的标准只需按下一个按钮就能进行常规测量。            


 附加选项:        

       

◇  光斑大小的变化       

◇  电阻率测量(晶圆)        

◇  方块电阻        

◇  背景/偏光        

◇  反射测量(MDP)        

◇  太阳能电池的LBIC(扩散长度测量)        

◇  偏压MDP        

◇  参考晶圆        

◇  硅的内部/外部铁制图        

◇  集成加热台        

◇  灵活的激光器配置 


MDPmap单晶和多晶硅片寿命测量仪测量案例

                

                

钝化多晶硅的寿命图                

多晶硅的铁污染图            

                

                

单晶硅的硼氧图            单晶硅的缺陷密度图            
          
碳化硅外延片(>10μm)-少数载流子寿命mapping图(平均寿命τ=0.36μs)            
            
高阻硅片(>10000Ω·cm)-少数载流子寿命mapping图            
            
非钝化硅外延片(20μm)-少数载流子寿命mapping图            


MDPmap 应用:

铁浓度测定        

铁的浓度的精确测定是非常重要的,因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此,有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度,具有非常高的分辨率且**是在线的        

更多......        

     

掺杂样品的光电导率测量        

B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用,但到目前为止,没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难……        

更多......        

       

       

陷阱浓度测定        

陷阱中心是非常重要的,为了了解材料中载流子的行为,也可以对太阳能电池产生影响。因此,需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度活化能        

更多......        

       

       

注入相关测量        

少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心俘获中心的信息。        

更多......        

      


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