MDpicts pro高分辨率变温少子寿命测试仪，系统能够适用于各种不同材料和制备阶段的测量，范围从硅原料、裸晶圆到不同的制备阶段，再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半导体，可以研究电阻率高于0.3 Ω cm的单晶硅和多晶硅。

MDpicts pro 原位变温缺陷能级表征系统，优点是非接触式，是一种对待测样品无损伤和非破坏式的检测手段，采用微波谐振微波腔来接收信号。由缺陷捕获载流子的再发射引起的光电导率的变化可以通过微波吸收来检测。MDPicts pro已成功用于分析各种具有半绝缘行为的化合物半导体。

MD picts温度依赖型寿命测试系统，可检测电阻率高于 0.3 Ω cm的单晶硅与多晶硅，重要聚焦缺陷、少子寿命及光电导的温度依赖型测量，同时可检测硅中的污染物及电活性晶体中的缺陷，具备微波光电导衰减瞬态（μPCD）和稳态（MDP）测量功能。

HT picts高温少子寿命测量系统，用于宽禁带材料在高温区间的非接触、无损伤的温度依赖型测量，涵盖少子寿命、电学特性表征及深能级缺陷研究。（涵盖瞬态模式μPCD、稳态模式MDP、微波光电导等方法，符合SEMI PV9-1110 半导体标准）。

少子寿命测试仪µPCD/MDP (MDPpro 850+)用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。

MDPmap单晶和多晶硅片寿命测量仪被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具，用于离线生产控制或研发，在稳态或短脉冲激励（μ-PCD）下，在一个宽的注入范围内测量参数，如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品，包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆，从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆。